AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型

• 作者: 常远程 张义门 张玉明 曹全君 王超
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 器件模拟 大信号模型 AlGaN/GaN HEMT I-V特性
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 353-355
• 页数: 3页
• 分类号: TN452
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.002

摘要

对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是AlGaN/GaNHEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏电流的关系及不同栅压区漏电流随漏电压斜率改变的基础上,提出了改进的高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性模型.采用这个模型,计算了AlGaN/GaNHEMT器件的大信号I-V特性,并与实际测量数据进行了比较.实验结果表明改进的模型更精确,Ids与Vgs的呈2.5次方的指数关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子所	4	32	3.0	4.0
2	张玉明	教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子所	3	22	2.0	3.0
3	常远程	教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子所	1	2	1.0	1.0
4	曹全君	教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子所	1	2	1.0	1.0
5	王超	教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子所	1	2	1.0	1.0