AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究*

• 作者: 任舰 闫大为 顾晓峰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 漏电流 退化机理
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 157202-1-157202-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.157202

摘要

本文首先制备了与 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的 AlGaN/GaN 异质结肖特基二极管，采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况，然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机理，并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射，研究了漏电流的时间依赖退化机理。实验结果表明：在栅压高于某临界值后，器件漏电流随时间开始增加，同时伴有较大的噪声。将极化电场引入电流与电场的依赖关系后，器件退化前后的 log(IFP/E)与√E 都遵循良好的线性关系，表明漏电流均由电子 Frenkel-Poole (FP)发射主导。退化后 log(IFP/E)与√E 曲线斜率的减小，以及利用 EMMI 在栅边缘直接观察到了与缺陷存在对应关系的“热点”，证明了漏电流退化的机理是：高电场在 AlGaN 层中诱发了新的缺陷，而缺陷密度的增加导致了 FP 发射电流 IFP 的增加。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	22	113	6.0	9.0
2	闫大为	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	3	3	1.0	1.0
3	任舰	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	2	3	1.0	1.0