原文服务方: 电子产品可靠性与环境试验       
摘要:
论述了某光敏晶体管CE极之间漏电流变大的失效机理.通过对器件电性能测试、结构解剖、扫描电镜检查和能谱分析,证实了银离子迁移是导致该光敏晶体管CE极漏电变大的主要失效机理.从理论上阐述了银离子迁移的环境条件,从生产和使用两个方面提出了避免或减少银离子迁移的控制措施.
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文献信息
篇名 光敏晶体管漏电流变大的失效分析与控制
来源期刊 电子产品可靠性与环境试验 学科
关键词 光敏晶体管 漏电流 银离子迁移 失效分析
年,卷(期) 2013,(4) 所属期刊栏目 可靠性物理与失效分析技术
研究方向 页码范围 11-13
页数 3页 分类号 TN364+.3
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-5468.2013.04.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张伟 28 74 6.0 7.0
2 薄鹏 4 5 2.0 2.0
3 孟猛 8 16 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
光敏晶体管
漏电流
银离子迁移
失效分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
双月刊
1672-5468
44-1412/TN
大16开
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
1962-01-01
中文
出版文献量(篇)
2803
总下载数(次)
0
总被引数(次)
9369
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