抗辐射晶体管3DK9DRH 的贮存失效分析

• 作者: 武荣荣 高成 黄姣英
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 失效分析 失效机理 晶体管 辐照加固
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 109-112
• 分类号: TN321?34
• 语种: 中文

摘要

为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH 贮存失效的原因,利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体管3DK9DRH 的一种贮存失效分析.结果表明晶体管存在工艺问题,内部未进行水汽控制,加上内部硫元素过高,长期贮存后内部发生了氧化腐蚀反应,从而导致晶体管功能失效.对此建议厂家对晶体管的生产工艺进行检查,对水汽和污染物如硫元素等加以控制,及时剔除有缺陷的晶体管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄姣英	北京航空航天大学可靠性与技术环境工程技术重点实验室	41	128	6.0	10.0
2	高成	北京航空航天大学可靠性与技术环境工程技术重点实验室	42	195	8.0	13.0
3	武荣荣	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	3	33	2.0	3.0