工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响

• 作者: 任迪远 余学峰 郑玉展 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 双极晶体管 ~(60)Coγ辐照 剂量率效应 发射极面积 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 114-120
• 页数: 7页
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文

摘要

对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究.结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管的结果显示,发射极面积越小,损伤越大;不同掺杂浓度的LPNP管的结果则表明,轻掺杂的发射极比重掺杂的具有更高的辐射敏感性.对各种实验现象的损伤机理进行了较详细的分析.