双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究

• 作者: 何宝平 刘敏波 姚志斌 王祖军 盛江坤 肖志刚 黄绍艳
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 辐射效应与加固技术
• 页码范围: 138-143
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2457字
• 语种: 中文

摘要

采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	王祖军		22	178	7.0	12.0
3	刘敏波		22	147	8.0	10.0
4	肖志刚		29	227	8.0	13.0
5	黄绍艳		27	220	8.0	13.0
6	姚志斌		35	171	8.0	10.0
7	盛江坤		4	12	2.0	3.0