不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

• 作者: 任迪远 何承发 余学锋 王义元 郑玉展 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 发射极面积 国产npn晶体管 剂量率 辐射损伤
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5572-5577
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.068

摘要

影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余学锋	中国科学院新疆理化技术研究所	22	152	6.0	12.0
2	陆妩	中国科学院新疆理化技术研究所	42	320	11.0	16.0
3	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
4	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
5	郑玉展	中国科学院新疆理化技术研究所	6	66	4.0	6.0
9	王义元	中国科学院新疆理化技术研究所	2	37	2.0	2.0
13	何承发		14	85	4.0	9.0