NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较

• 作者: 何宝平 周辉 姜景和 王桂珍 罗尹虹
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: γ射线 电子 质子 剂量率 辐射损伤
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1229-1231
• 页数: 3页
• 分类号: TN722
• 字数: 3229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.08.036

摘要

利用不同剂量率γ射线、低能(小于9MeV)质子和1MeV电子对CC4007RH、CC4011、LC54 HC04RH NMOSFET进行了辐照实验,结果表明,在+5V偏置条件下,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60Co,而且质子能量越低,损伤越小;对于同等的吸收剂量,1MeV电子和60Co造成的损伤差别不大;在高剂量率γ射线辐射下,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因,在接近空间低剂量率辐射环境下,LC54HC04RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷,而CC4007RH器件则是氧化物陷阱电荷.