剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响

• 作者: 曹洲 杨世宇 田恺 薛玉雄 郭祖佑
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 功率MOSFET器件 γ射线 剂量率 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 470-474
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究.在试验中,选取钴-60 γ射线,以不同剂量率进行辐照试验.通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性.结果表明,低剂量率更易引起器件损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛玉雄	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	20	181	9.0	12.0
2	曹洲	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	19	181	9.0	12.0
3	杨世宇	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	17	161	9.0	11.0
4	田恺	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	15	120	7.0	10.0
5	郭祖佑	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	6	48	3.0	6.0