Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响

• 作者: 何宝平 刘敏波 姚志斌 盛江坤 黄绍艳
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: SRAM器件 工艺尺寸 高温老炼 电离总剂量效应
• 年，卷（期）: 2014,（Z1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 708-711
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2014.48.S0.0708

摘要

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究.选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用50Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burn-in)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律.针对0.25 μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系.结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	46	291	9.0	13.0
2	刘敏波	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	22	147	8.0	10.0
3	黄绍艳	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	27	220	8.0	13.0
4	姚志斌	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	35	171	8.0	10.0
5	盛江坤	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	4	12	2.0	3.0