微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术

• 作者: 徐曦 杨怀民 董秀成 袁国火
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: FPGA 电离总剂量 辐照效应 加固方法
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 487-490
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1962字
• 语种: 中文

摘要

讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si).对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐曦	中国工程物理研究院电子工程研究所	19	91	6.0	8.0
2	董秀成	西华大学电气信息学院	72	511	13.0	19.0
3	杨怀民	中国工程物理研究院电子工程研究所	5	35	4.0	5.0
4	袁国火	西华大学电气信息学院	4	32	3.0	4.0