不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应

• 作者: 于新 张兴尧 文林 李豫东 郭旗
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: InP DHBT 总剂量辐射 偏置 退火效应 60Co γ
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040608

摘要

对InP DHBT进行了钴源辐射试验,研究了InP DHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用Keysight B1500半导体参数分析仪,测试了InP DHBT的Gummel和输出Ⅰ-Ⅴ参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明:将InP DHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于新	中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室	6	43	4.0	6.0
2	文林	中国科学院新疆理化技术研究所	8	25	3.0	5.0
3	郭旗		4	4	2.0	2.0
4	张兴尧	中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室	3	6	1.0	2.0
5	李豫东		2	2	1.0	1.0