12位LC2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应

• 作者: 吴雪 崔江维 席善斌 张晋新 王信 邓伟 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电离辐射 数模转换器 剂量率效应 LC2MOS
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 2355-2360
• 页数: 6页
• 分类号: TN433|TN792
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.12.2355

摘要

为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性，选取12位LC2 M OS工艺的数模转换器作为研究对象，使用60 Co γ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明，LC2 M OS工艺的数模转换器对辐射剂量率非常敏感，高剂量率条件下的辐射损伤较低剂量率条件下的更为显著；不同偏置条件下，其辐射损伤程度也有很大不同，正常工作偏置下的数模转换器辐射损伤较非工作偏置的辐射损伤更为明显。