不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应

• 作者: 任迪远 兰博 崔江维 李茂顺 王义元 费武雄 郑玉展 陆妩 陈睿
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 模数转换器 60Co γ辐照 室温退火 偏置条件
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1252-1256
• 分类号: TN431|TN792
• 语种: 中文

摘要

对10位CMOS ADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.与加电偏置相比,零偏下0.25 Gy/s (Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重.并对其损伤机理进行了初步探讨.