辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究

• 作者: 丁李利 孙华波 王忠明 范如玉 郭红霞 闫逸华 陈伟 陈雷
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 辐照偏置 总剂量效应 MOS器件 解析模型 器件仿真
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 842-847
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.05.0842

摘要

由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证.在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量的关系式唯一确定.引入等效累积剂量的概念,用于将MOS器件实际工作中的各类偏置映射为最劣偏置状况,进而利用实测数据求取对应的电学响应.所得单管解析表达式应用到电路仿真中能反映电路在不同偏置情况下的总剂量效应,可用于甄别电路的最劣辐照偏置状态.