0.18μm MOS 差分对管总剂量失配效应研究

• 作者: 于新 吴雪 张兴尧 王信 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: M OS差分对管 60 Co γ辐射 失配
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1886-1890
• 页数: 5页
• 分类号: O571.33|TN431.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2014.48.10.1886

摘要

为明确深亚微米M OS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理，本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管，进行了60Co γ总剂量辐射效应研究。研究结果表明：与PMOS差分对管相比，NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感，主要表现在：1）辐照引起NMOS差分对管转移特征曲线失配增加；2） NMOS差分对管阈值电压失配随辐照总剂量的增加而增大；3）栅极电流辐照后稍有增加，失配随栅极电压的增加而增大。而PM OS差分对管在整个辐照过程中，无论是曲线还是参数均未出现明显变化，且失配亦未随辐照总剂量的增加而增大。