高压LDMOS总剂量辐射效应研究

• 作者: 岳素格 王丹辉 莫艳图 赵元富 边强
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: LDM OS 总剂量辐射 环栅加固 边缘漏电 阈值电压漂移
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 页码范围: 82-86
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

在太空环境中，辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降．LDMOS相比于CMOS ，具有更高的工作电压，作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中．针对一种0．25μm BCD工艺LDM OS进行总剂量辐射效应研究．实验表明，总剂量辐射会造成LDM OS的阈值电压漂移，以及N沟道直栅LDM OS的较大漏电流．同时也观察和记录到总剂量辐射导致P沟道直栅LDM OS的漏电．环栅加固方法能有效抑制总剂量辐射引起的N沟道直栅LDMOS的边缘漏电．在100 krad（Si）辐照剂量时，N沟道环栅LDMOS和P沟道直栅LDMOS的阈值电压漂移分别为0．02V和－0．02V．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵元富		28	104	6.0	8.0
2	莫艳图		4	9	1.0	3.0
3	岳素格		28	96	5.0	8.0
4	王丹辉		1	8	1.0	1.0
5	边强		4	23	3.0	4.0