一种SOI LDMOS器件辐射效应仿真研究

• 作者: 乔明 余洋
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: Sentaurus 仿真模型 总剂量辐射 剂量率辐射 中子辐射
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 32-34,38
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 2555字
• 语种: 中文

摘要

通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真.使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂量辐射、中子辐射和瞬时剂量率辐射特性,为抗辐射的SOI LDMOS器件提供设计指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明		35	178	8.0	12.0
2	余洋		3	5	1.0	2.0