高压LDMOS功率器件的研究

• 作者: WU Yu-guang 张博
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 高压器件 LDMOS RESURF技术 MEDICI 导通电阻
• 年，卷（期）: 2008,（25）
• 所属期刊栏目: 电源技术
• 页码范围: 237-238,259
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.25.097

摘要

提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用Double RESURF技术和场板技术,耐压可达700伏.本文借助二维器件模拟软件MEDICI,分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影响,从而实现了器件的高耐压和低导通电阻的要求.