高压LDMOSⅠ-Ⅴ特性宏模型的建立

• 作者: 吴秀龙 柯导明 汪洋 陈军宁
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 横向双扩散MOS管 宏模型 等效电路
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.08.004

摘要

目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要.以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大.因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOS Ⅰ-Ⅴ特性的宏模型.该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴秀龙	安徽大学电子科学与技术学院	56	135	6.0	8.0
2	汪洋	安徽大学电子科学与技术学院	18	86	6.0	9.0
3	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
4	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0