绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究

• 作者: 吕韶义 张海鹏 陈卫军
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 射频横向双扩散场效应管 模型 直流特性 散射参数
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2009.03.003

摘要

射频功率器件对整个射频放大电路的性能起到决定性的影响.而这类器件依然没有精确、统一的电路模型.因此,基于分支电路模型建立了一种新型SOI LDMOS的大信号电路模型.该模型是一个非线性电路模型,包括了对直流特性的模拟、S参数的模拟,以及其他有关参数的提取.仿真结果表明该模型能比较精确的模拟RF SOI LDMOS器件的直流特性以及频率特性,所以可以利用这个电路模型辅助射频功率放大器设计,为前端设计的电路仿真提供模型的支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学系统集成研究所	36	96	5.0	7.0
2	吕韶义	杭州电子科技大学系统集成研究所	10	27	3.0	5.0
3	陈卫军	杭州电子科技大学系统集成研究所	1	0	0.0	0.0