绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究

• 作者: 吴峻峰 李瑞贞 毕津顺 海潮和
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 动态阈值 浮体
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.002

摘要

基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0 V时的580 mV动态变化到VBS=0.6 V时的220 mV,但是这种优势并没有以增加漏电流为代价.因此动态阈值nMOSFETs的驱动能力较之浮体nMOSFETs在低压情况下,更具有优势.工作电压为0.6 V时,动态阈值nMOSFETs的驱动能力是浮体的25.5倍,0.7 V时为12倍.而且浮体nMOSFETs中的浮体效应,诸如Kink效应,反常亚阈值斜率和击穿电压降低等,均被动态阈值nMOSFETs结构有效抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	吴峻峰	中国科学院微电子研究所	14	43	4.0	5.0
3	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0
4	李瑞贞	中国科学院微电子研究所	8	22	3.0	4.0