绝缘体上硅高温压力传感器研究

• 作者: 姚素英 张为 张生才 张维新 赵毅强
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 压力传感器 绝缘体上硅 高温 有限元分析
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 178-180
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2004.02.017

摘要

采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试.结果表明:1∶2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220 mV/MPa,远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50 mV/MPa).此外,该传感器能够工作在200 ℃的高温环境中,有良好的长期稳定性,30 d内的零点时间漂移为0.12%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚素英	天津大学电子信息工程学院	160	911	14.0	21.0
2	张生才	天津大学电子信息工程学院	41	316	11.0	15.0
3	赵毅强	天津大学电子信息工程学院	85	556	13.0	18.0
4	张为	天津大学电子信息工程学院	71	358	10.0	15.0
5	张维新	天津大学电子信息工程学院	10	86	7.0	9.0