新型绝缘体上硅技术的发展与展望

• 作者: 冯倩 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅晶片 绝缘体上硅技术 新型器件和结构
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 792-796
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 4390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.06.024

摘要

总结了最新发展起来的两种绝缘体上硅晶片制造技术,给出了绝缘体上硅新器件、新结构和新工艺研究进展,提出绝缘体上硅技术所面临的机遇和挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	冯倩	西安电子科技大学微电子研究所	35	224	7.0	13.0