600伏高压LDMOS的实现

• 作者: 林争辉 项骏
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: RESURF技术,内场限环技术,双层浮空场板技术,PISCES-Ⅱ,600伏高压LDMOS
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2004.11.041

摘要

综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术,充分降低高压LDMOS的表面电场,使用常规低压工艺,最终实现600伏高压LDMOS.本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林争辉	上海交通大学电子工程系	116	603	12.0	20.0
2	项骏	上海交通大学电子工程系	1	13	1.0	1.0