新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能

• 作者: 刘玉青 胡术云 邓文基
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 互补型金属氧化物晶体管 埋藏层 静电放电 横向扩散
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2008.03.003

摘要

介绍了几种常见的N型埋藏层(NBL)静电放电(ESD)器件,阐述了NBL对ESD的影响,提出了新结构的NBL器件(Under-source NBL).比较Under-source NBL器件和其它常用器件的优缺点,对比了它和传统器件的ESD测试数据;结果表明,Under-source NBL器件在横向扩散MOS(LDMOS)ESD保护电路中有着非常好的效果,可以在功能相当的情况下.大大节省器件的面积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓文基	华南理工大学电子与信息学院	32	145	7.0	10.0
2	刘玉青	华南理工大学电子与信息学院	2	4	1.0	2.0
3	胡术云	华南理工大学电子与信息学院	1	0	0.0	0.0