0.6μm SOI NMOS器件ESD性能分析及应用

• 作者: 周毅 罗静 胡永强 邹巧云 陈嘉鹏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 SOINMOS ggNMOS gcNMOS
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 33-36,40
• 分类号: TN702
• 字数: 2244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.11.011

摘要

ESD设计是SOI电路设计技术的主要挑战之一,文章介绍了基于部分耗尽0.6μm SOI工艺所制备的常规SOI NMOS器件的ESD性能,以及采用改进方法后的SOI NMOS器件的优良ESD性能。通过采用100ns脉冲宽度的TLP设备对所设计的SOI NMOS器件的ESD性能进行分析,结果表明：SOI NMOS器件不适合直接作为主要器件承担SOI电路的ESD保护作用,但通过采用工艺优化、设计结构改进等方法优化后,可以作为SOI输出缓冲器或电源与地之间ESD主要保护器件使用,承担SOI电路ESD保护的重要作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗静		12	35	3.0	5.0
2	邹巧云		8	9	2.0	2.0
3	周毅		8	25	3.0	5.0
4	胡永强		7	14	2.0	3.0
5	陈嘉鹏		6	1	1.0	1.0