氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化

• 作者: 李俊峰 杨建军 海潮和 钟兴华 韩郑生
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 等离子剥离(干法去胶) 天线比(AR) 栅漏电流密度 阈值漂移 电流应力 时间测试
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98|TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.08.001

摘要

文章描述了氧等离子干法剥离光刻胶中MOS器件的性能退化问题,并且制备了不同天线比AR(Antenna Ratio),相同器件结构的NMOS器件来检测器件的退化.实验结果发现栅漏电流密度Jg和阈值电压Vt漂移会随着Al的天线面积的增加而非线性地增加,尤其表现在阈值电压漂移上.运用增加电流应力时间的测试来模拟器件在等离子反应腔中所受的实际应力,发现了与天线比增加时阈值电压变化趋势相同,表明在氧等离子气氛中器件受到了负电应力的影响.最后,基于此次实验的结果,在器件的设计,工艺参数的制定方面提出了一些减小干法剥离光刻胶工艺带来器件性能退化的建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	杨建军	中国科学院微电子研究所	23	346	7.0	18.0
4	钟兴华	中国科学院微电子研究所	11	31	4.0	5.0
5	李俊峰	中国科学院微电子研究所	29	122	7.0	9.0