MOS器件的ESD失效

• 作者: 许清平 赖忠有
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 金属氧化物半导体器件 静电放电模型 静电防护
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 编述与展望
• 页码范围: 64-67
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2011.06.013

摘要

静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注.综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式；总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法；并提出了相应的静电防护措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许清平		5	9	1.0	3.0
2	赖忠有		5	1	1.0	1.0