MOS器件时间关联辐射响应的理论研究

• 作者: 石小峰 罗尹虹 郭红霞 龚建成
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: MOS器件 时间关联 响应函数
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 100-105
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2006.01.023

摘要

利用响应函数对MOS器件时间关联辐射响应几个物理过程的实验数据进行拟合计算,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立.详细分析了俘获空穴的空间分布差异对退火响应的影响以及温度差异对界面态建立的影响.计算结果和实验测量值符合很好,表明该函数在响应分析中的应用是可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	龚建成		27	110	6.0	8.0
3	郭红霞		81	385	10.0	13.0
4	石小峰		4	39	3.0	4.0