MOS器件加固技术的理论研究

• 作者: 何宝平 姚育娟 姜景和 张正选 彭宏论 王桂珍 罗尹虹
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 抗辐射加固 掺杂浓度 辐照偏压 鸟嘴形状
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 276-279
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2002.03.020

摘要

对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响.分析得出,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄生泄漏电流,提高抗辐射能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	彭宏论		11	80	5.0	8.0
3	姚育娟		10	48	4.0	6.0
4	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
5	张正选		21	88	5.0	8.0
6	姜景和		18	78	6.0	7.0
7	王桂珍		32	156	7.0	9.0