双多晶硅栅SOI MOS器件的研究

• 作者: 刘文安 沈文正 罗来华
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 双多晶硅栅 全耗尽 SOI
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 40-43，47
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2000.03.010

摘要

采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件，其中N+栅NM0S管的阈值电压为0.45V,P+栅PMOS管的阈值电压为-0.22V，在1V和5V电源电压下双多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为1.7ns和350ps，双多晶硅栅SOI技术将是低压集成电路的一种较好选择。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文安		2	4	2.0	2.0
2	罗来华		3	9	2.0	3.0
3	沈文正		4	9	2.0	2.0