基于MPI的全局并行遗传算法的SOI MOS器件模型参数提取

• 作者: 宋文斌 韩郑生
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 器件模型 参数提取 并行遗传算法 BSIMSOI模型 消息传递接口 全局优化策略
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 页码范围: 261-264,268
• 页数: 5页
• 分类号: TP211
• 语种: 中文

摘要

提出了将全局并行遗传算法应用于模型参数提取,并应用于标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET器件,一次性提取BSIMSOI3模型主要的42个直流参数.实验结果表明,该方法不依赖参数初始值、精度高、效率高,降低了SOI模型参数提取工作的难度,具有很强的通用性,易于移植优化及数据拟合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋文斌	中国科学院微电子研究所	5	14	3.0	3.0