基于遗传算法的亚100nm SOI MOSFET模型参数提取

• 作者: 张效娟 张瑞智 李尊朝 林尧
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 参数提取 全局优化 模型
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2033-2037
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 4297字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2007.11.001

摘要

为了简化亚100nm SOI MOSFET BSIMSOI4的模型参数提取过程,实现全局优化,使用了遗传算法技术,并提出了保留多个最优的自适应遗传算法.该算法通过保留最优个体的多个拷贝,对适应度高和适应度低的个体分别进行诱导变异和动态变异,在进化起始阶段和终止阶段分别执行随机交叉和诱导交叉,既具有全局优化特性,又加速了局部搜索过程,提高了最终解的质量.不同种群数和进化代数条件下的参数提取实例表明,该算法提取精度高、速度快,全局优化稳定性好;适当增加种群数,有利于加速算法的全局收敛过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张效娟	青海师范大学计算机系	22	68	5.0	7.0
2	张瑞智	西安交通大学电子与信息工程学院	21	145	7.0	11.0
3	李尊朝	西安交通大学电子与信息工程学院	31	275	8.0	16.0
4	林尧	西安交通大学电子与信息工程学院	1	5	1.0	1.0