基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取

• 作者: 李多力 李瑞贞 杜寰 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 参数提取 遗传算法 模拟退火算法
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 796-803
• 页数: 8页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.008

摘要

通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOI MOSFET模型参数.用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET模型参数,用此模型模拟的数据与测试数据吻合很好,与商业软件相比精度得到了明显的提高.这种方法与商业软件使用的传统的方法相比,不需要对SOI MOSFET模型有非常深入的了解,也不需要复杂的计算.更深入的验证表明,该模型适用的器件尺寸范围很广.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
4	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
5	李瑞贞	中国科学院微电子研究所	8	22	3.0	4.0