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半导体学报(英文版)2006年第8期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 阐述了0.18μm射频nMOSFET的制造和性能.器件采用氮化栅氧化层/多晶栅结构、轻掺杂源漏浅延伸结、倒退的沟道掺杂分布和叉指栅结构.除0.18μm的栅线条采用电子束直写技术外,其他结构均...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 报道了一种用电子束曝光的方法在绝缘体上硅的脊状光波导上制做布拉格光栅的技术.考虑到实际的光子学集成的应用,讨论了这个带有布拉格光栅的脊状光波导的优化设计,给出了该布拉格光栅的测试和理论模拟结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 研究了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的侧向氧化工艺及其特性.发现对于条形台面,氧化物生长遵循线性生长规律.但对于在VCSEL中采用的两种结构,氧化物的生长(温度高于435℃)表现为非线性生...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 利用热生长工艺和热蒸发方法分别获得CuPc和SiO2薄膜层,通过原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面界面电子状态进行了研究,并采用高斯拟合方法对各谱进行了详细分析.结果表明,在氧原子的作用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 提出了一种适用于低电源电压的新型高线性度采样开关.与传统低电压采样开关相比,这种新型采样开关不仅消除了MOS开关由于栅源电压随输入信号变化所引入的非线性,而且进一步消除了MOS开关由于阈值电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 设计并实现了一种基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的低噪声、1.25Gb/s和124dBΩ的光接收机前端放大器.跨阻放大器设计采用了有源电感并联峰化和噪声优化技术,克服了CMOS光检测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 通过对Schaake和Chen腐蚀剂在HgCdTe外延材料(111)B面腐蚀坑特性的研究,揭示了HgCdTe液相外延材料中的缺陷特征及其密度分布规律.深度腐蚀实验显示外延材料中确实存在着通常...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度,以三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜,通过恒功率加热衬底测试温度的变化,可实现在线组分监测,得到CIGS薄膜的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 实验研究了ZnSe单晶的光学整流THz产生,借助电光取样技术得到THz脉冲的时域波形和FFT频谱分布,观察到约113fs的THz辐射场分布,及相应约5.8THz的频谱分布,辐射峰位于3THz...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 利用纳米银的低温熔接性和良好导电性,研究了以纳米银取代传统的有机粘结剂和导电银浆制备CNTs场发射冷阴极的新工艺.将CNTs、纳米银、粘性松油醇和有机溶剂混合研磨后涂敷在镀Cu玻璃基片上,2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s 40V高场应力后,蓝宝石衬底 AlGaN/GaN HEMT饱和漏电流下降5.2%,跨导下降7.6%.从器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MR D-RESURF) LDMOS, 在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 验证了通过注入锁模方法,分布反馈(DFB)半导体激光器的频率响应可以得到明显的改善.实验中通过一个环形器,将主激光器的输出光注入到从激光器.测量了从激光器在有注入光和没有注入光时的光谱和频率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pn...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 对半导体光放大器(SOA)放大的自发发射(ASE)谱进行了实验和理论研究,并且分析了SOA端面反射率对ASE谱的谱宽以及平坦度的影响.结果表明,不恰当的抗反膜会严重减小输出光谱的带宽;而在采...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 采用FRESNEL光学软件和MATLAB编程,详细分析了垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差对耦合效率的影响.发现在芯片横向偏移、芯片倾斜和管帽倾斜这三种操作误差中,管帽倾斜对封装组件的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 采用CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了可用于植入式神经信号检测的放大器芯片.电路适用于卡肤电极系统,包括低噪声前置放大级、由电流模仪表放大器构成的主放大级、输出缓冲级和恒跨导偏置级.电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 开发了一种在空气中具有几十飞克质量分辨率的谐振式微机械悬臂梁生化质量检测传感器.在悬臂梁上面实现了使用惠斯通压阻电桥检测和洛伦兹力线圈驱动集成结构.与通常的一阶模态谐振传感器不同,为了显著提...
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28. 新型的视频自适应均衡芯片设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 设计了一款新型的视频自适应均衡芯片.采用自适应算法与内置576抽头数字滤波器完成重影消除的所有功能.芯片高度集成,内嵌DSP控制器、存储器、同步检测器、D/A、A/D及用户编程.该芯片采用3...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 在SMIC 0.18μm CMOS工艺下实现了一种工作在0.6～1.5V下的基准源.分别采用环路增益法和返回比法对其中的自偏置放大器和核心电路的环路特性进行了分析.芯片输出的基准电压为0.4...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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