截止频率53GHz的高性能0.18μm射频nMOSFET

• 作者: 徐秋霞 李俊峰 杨荣 海潮和 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 结构 工艺 射频 nMOSFET
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1343-1346
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 1938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.001

摘要

阐述了0.18μm射频nMOSFET的制造和性能.器件采用氮化栅氧化层/多晶栅结构、轻掺杂源漏浅延伸结、倒退的沟道掺杂分布和叉指栅结构.除0.18μm的栅线条采用电子束直写技术外,其他结构均通过常规的半导体制造设备实现.按照简洁的工艺流程制备了器件,获得了优良的直流和射频性能:阈值电压0.52V,亚阈值斜率80mV/dec,漏致势垒降低因子69mV/V,截止电流0.5nA/μm,饱和驱动电流458μA/μm,饱和跨导212μS/μm(6nm氧化层,3V驱动电压)及截止频率53GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
3	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
4	杨荣	中国科学院微电子研究所	16	118	5.0	10.0
5	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0
6	李俊峰	中国科学院微电子研究所	29	122	7.0	9.0