0.18 μm CMOS高效高增益功率放大器设计

• 作者: 张海鹏 李浩 汪洋
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 功率放大器 自偏置 共源共栅
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2012.05-003

摘要

在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置.采用Cadence公司的SpectreRF工具对电路进行仿真与优化.设计与优化结果表明,在2.4GHz频率下,输出功率为20.3dBm,功率附加效率为49％,功率增益达到32dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学电子信息学院	36	96	5.0	7.0
2	汪洋	杭州电子科技大学电子信息学院	2	9	2.0	2.0
3	李浩	杭州电子科技大学电子信息学院	2	6	1.0	2.0