基于SOI-0.18 μm高PAE CMOS Class-E功率放大器

• 作者: 刘昱 张海英 李志强 郑岩 黄水龙
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: PAE Class-E功率放大器 输出级 驱动级
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 63-67
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文

摘要

基于IBM SOI-0.18 μm CMOS工艺,实现了高PAE的Class-E功率放大器.此放大器由两级构成.在输出级采用了负电容技术,抵消寄生电容,提高效率.输出级的共栅管采用自偏置,防止晶体管被击穿.驱动级采用Class-E结构,使得输出级能更好地实现开与关.两级之间使用了改善输出级电压和电流交叠的网络.通过使用这些技术,在2.8 V电源电压下,功率放大器工作在2.4 GHz的时候,输出功率为23.44 dBm,PAE为58.99%.