高线性度 CMOS射频 AB类功率放大器设计

• 作者: 张力 林双喜 沈军 陈晓飞
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: AB类 射频功率放大器 CMOS 线性度 效率
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 145-148
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内．采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析，采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析．利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿，提高了CMOS射频 AB类放大器的线性度．基于 TSMC 0．18μm CMOS 混合信号工艺，设计了一款两级射频AB类功率放大器．该射频功率放大器差动输入，单端输出，工作频段为804～940 M Hz ，工作电压为3 V ．仿真指标为：增益为11 dB ，输出1 dB压缩点为17．2 dBm ，OIP3为18．2 dBm ，附加效率为37％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张力	华中科技大学光学与电子信息学院	67	514	13.0	20.0
2	林双喜	武汉工程大学电气信息学院	10	34	4.0	5.0
3	陈晓飞	华中科技大学光学与电子信息学院	28	239	10.0	14.0
4	沈军	华中科技大学光学与电子信息学院	3	22	2.0	3.0