基于 SiGe 工艺的线性功率放大器设计

• 作者: 贯会征 阎跃鹏
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SiGe HBT工艺 线性 功率放大器 自适应偏置
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

基于SiGe Heterojunction Bipolar Transistors（HBT）工艺设计了一款线性射频功率放大器．该功率放大器采用三级级联结构，每一级采用自适应偏置网络，级间匹的网络集成在片内，匹配网络中的电感由绑定线实现．该功率放大器工作在2G Hz ，带宽50M Hz ，增益30dB ，在1dB压缩点输出功率（P1dB ）为27．1dBm ，功率附加效率（PAE）为36％．该功放由3．4V电压供电，芯片尺寸1mm ×0．7mm ．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎跃鹏	中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室	101	427	9.0	13.0
2	贯会征	中国科学院微电子研究所电子系统总体技术研究室	1	3	1.0	1.0