基于 SiGe HBT的射频功率放大器

• 作者: 吕志强 尤云霞 王海永 陈岚
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 功率放大器 SiGe异质结双极型晶体管 功率 S参数
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 144-147
• 页数: 4页
• 分类号: TN432|TN722.7+5
• 语种: 中文

摘要

基于国内的0．18μm SiGe BiCMOS工艺，针对该工艺下SiGe HBTs功率器件击穿电压、工作频段的稳定性和最优负载阻抗值等方面的研究，给出了功率放大器的设计优化过程，比较了功率SiGe HBTs在共射和共基两种结构下的频率与最大功率增益性能．实现了一款应用于2．4 G Hz无线通信的全集成A类功率放大器．测试结果表明：S11＜-13 dB ，S22＜-10 dB ，S21＝13．8 dB ，输出1 dB压缩点为10．97 dBm ，饱和输出功率为16．7 dBm ．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈岚	中国科学院微电子研究所	86	361	10.0	14.0
2	王海永	中国科学院微电子研究所	11	21	3.0	4.0
3	吕志强	中国科学院微电子研究所	23	148	5.0	11.0
4	尤云霞	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0