射频功率放大器稳定性的分析与设计

• 作者: 丛密芳 李科 杜寰 韩月
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 射频功率放大器 RF-LDMOS 稳定性 R-C并联电路
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 页码范围: 72-74,79
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

射频功率放大器的稳定性极大的影响了通信系统性能的可靠性,是通信系统中的重要组件.基于自主研发的RF-LDMOS器件,利用ADS软件设计了一款射频功率放大器,并研究了其稳定性.采用在栅极增加R-C并联电路的方法,改善功率放大器在100～200 MHz之间的稳定性.实验结果表明,R-C并联网络的阻抗在低于转折频率时为电阻型,高于转折频率时为电容型,因此在低频可以降低不需要的增益,而对工作频带内的增益和驻波性能没有明显影响.改善后的功率放大器在100～200 MHz频段增益达到17.4 dB以上,可稳定输出37.4 dBm以上功率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜寰	中国科学院微电子研究所新技术开发部	41	108	5.0	6.0
2	李科	中国科学院微电子研究所新技术开发部	30	649	7.0	25.0
3	丛密芳	中国科学院微电子研究所新技术开发部	6	21	4.0	4.0
4	韩月	中国科学院微电子研究所新技术开发部	2	4	1.0	2.0