宽带功率放大器的设计

• 作者: 刘光祜 龚敏强
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 功率放大器 宽频带 有耗匹配 ADS LDMOS
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 通信设备
• 页码范围: 104-106
• 页数: 3页
• 分类号: TN72
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.11.032

摘要

介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计,频率范围从700 MHz～1.1 GHz.前级放大器采用MMIC Power Amplifier HMC481MP86,末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N.飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值.为了正确匹配,采用ADS的负载牵引法得到LDMOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值,然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计,并使用ADS对设计的放大器进行仿真和优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘光祜	电子科技大学电子工程学院	22	166	7.0	11.0
2	龚敏强	电子科技大学电子工程学院	1	18	1.0	1.0