C波段GaN HEMT功率放大器设计

• 作者: 李成龙 程知群
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管 宽带 功率放大器 联合仿真
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN454
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2013.06-006

摘要

该文介绍了一款应用于38 GHz的大功率超宽带功率放大器。电路设计中采用了键合线连接裸片与微带电路，并对该部分单独进行电磁场仿真。采用渐变微带线的方法实现了宽带匹配，通过HFSS与ADS的联合仿真优化设计，完成了大功率宽频带的功率放大器设计和仿真过程，仿真结果表明在频率38 GHz范围内增益（8．5±1） dB，1 dB压缩点输出功率为48 dBm最大饱和功率为49．5 dBm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程知群	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	54	172	6.0	10.0
2	李成龙	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	4	1.0	1.0