基于GaN HEMT宽带高效率功率放大器的设计

• 作者: 刘国华 程知群 赵子明 轩雪飞
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 宽带 功率放大器 高效率 GaNHEMT晶体管
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN454
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2017.06.001

摘要

设计一款工作于0.8 GHz~3.0 GHz的宽带功率放大器,有源器件采用Cree公司提供的CGH40010F GaN HEMT晶体管.利用ADS软件对功率管的大信号模型进行负载牵引,进而获得可以实现高效率最佳的负载阻抗和源阻抗,通过使用渐变式阻抗匹配的方法有效地拓展了功率放大器的带宽,并且保持了较高的效率.通过仿真最终对加工出来的实物分别进行小信号与大信号测试,实测结果表明,在0.8 GHz~3.0 GHz的频率范围内,相对带宽达到116%,小信号S21的实测值为14 dB~18 dB,大信号输出功率为40.15 dBm~42.25 dBm,漏极效率为50.0%~66.3%,增益为9.15 dB~11.25 dB,仿真与实测结果基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程知群	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	54	172	6.0	10.0
2	刘国华	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	33	65	4.0	7.0
3	轩雪飞	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	3	11	2.0	3.0
4	赵子明	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	3	11	2.0	3.0