基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制

• 作者: 李梁 李超 窦智童 郭栋
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: GaN 功率匹配 高效率功率放大器 通信系统
• 年，卷（期）: 2014,（15）
• 所属期刊栏目: 通信与信息技术 -- 通信设备
• 页码范围: 83-85
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.75-34
• 语种: 中文

摘要

近年来在无线通信、雷达等领域，对发射的功耗要求越来越苛刻，而产品可放置的空间越来越小，这就要求功率放大器要有更高的效率以及更高的工作结温，新一代宽禁带半导体材料GaN能够满足该要求。基于CREE公司的GaN功放管CGH40045研制了一款S频段的功率放大器，主要进行了功率匹配、散热考虑、杂散抑制的设计。最终的测试结果显示，在300 MHz的带宽内功率增益≥50 dB，饱和输出功率≥46 dBm，工作效率≥50%，比之前采用的工作效率为30%的GaAs功率放大器有了显著的提高。可见在今后的通信系统中，基于新一代半导体材料GaN的功率放大器有着非常好的应用前景。