原文服务方: 杭州电子科技大学学报(自然科学版)       
摘要:
基于GaN HEM T工艺,对HEM T器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片.电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标.芯片尺寸为2.70mm×2.90mm.芯片测试结果表明,在42~46 G Hz内,饱和输出功率大于41 dBm,功率增益大于18 dB,功率附加效率大于30%.
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基于GaN HEMT宽带高效率功率放大器的设计
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功率放大器
GaN HEMT
建模
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种42~46 GHz高效率功率放大器设计
来源期刊 杭州电子科技大学学报(自然科学版) 学科
关键词 GaNHEMT 大信号模型 功率放大器 饱和输出功率 功率附加效率
年,卷(期) 2020,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 25-30
页数 6页 分类号 TN402
字数 语种 中文
DOI 10.13954/j.cnki.hdu.2020.04.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡树军 中国电子科技集团公司第十三研究所 12 45 3.0 6.0
2 杜鹏搏 中国电子科技集团公司第十三研究所 4 26 2.0 4.0
3 默立冬 中国电子科技集团公司第十三研究所 7 25 3.0 5.0
4 苏国东 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 3 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
GaNHEMT
大信号模型
功率放大器
饱和输出功率
功率附加效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
杭州电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-9146
33-1339/TN
chi
出版文献量(篇)
3184
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11145
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