原文服务方: 杭州电子科技大学学报(自然科学版)       
摘要:
该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0.07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1.2 V,工作电流为27 mA,在62.2 GHz 时有最大小信号增益4.9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。
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文献信息
篇名 60GHz单级功率放大器的设计
来源期刊 杭州电子科技大学学报(自然科学版) 学科
关键词 毫米波单片集成电路 砷化镓 功率放大器 变异高电子迁移率晶体管
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-4
页数 4页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-9146.2013.06-001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙玲玲 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 68 213 8.0 9.0
2 文进才 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 12 37 4.0 5.0
3 王岗 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
毫米波单片集成电路
砷化镓
功率放大器
变异高电子迁移率晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
杭州电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-9146
33-1339/TN
chi
出版文献量(篇)
3184
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