宽带GaAs MMIC功率放大器的设计

• 作者: 张务永 张慕义 王同祥 王生国 王翠卿
• 来源期刊: 河北省科学院学报
• 关键词: 宽带 MMIC 功率 HFET 有耗匹配
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9383.2005.03.006

摘要

概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王同祥	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	14	2.0	3.0
2	张务永	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	33	4.0	4.0
3	王翠卿	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	5	1.0	1.0
4	王生国	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	13	3.0	3.0
5	张慕义	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	5	1.0	1.0